ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಬೋರ್ಡ್ IGCT ಮಾಡ್ಯೂಲ್
ವಿವರಣೆ
| ತಯಾರಿಕೆ | ಎಬಿಬಿ |
| ಮಾದರಿ | 5SHY4045L0001 ಪರಿಚಯ |
| ಆರ್ಡರ್ ಮಾಡುವ ಮಾಹಿತಿ | 3ಬಿಎಚ್‌ಬಿ 018162 |
| ಕ್ಯಾಟಲಾಗ್ | VFD ಬಿಡಿಭಾಗಗಳು |
| ವಿವರಣೆ | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಬೋರ್ಡ್ IGCT ಮಾಡ್ಯೂಲ್ |
| ಮೂಲ | ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್ (ಯುಎಸ್) |
| HS ಕೋಡ್ | 85389091 233 |
| ಆಯಾಮ | 16ಸೆಂ*16ಸೆಂ*12ಸೆಂ |
| ತೂಕ | 0.8 ಕೆ.ಜಿ |
ವಿವರಗಳು
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ಎಂಬುದು 5SHY ಸರಣಿಗೆ ಸೇರಿದ ABB ಯ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್-ಕಮ್ಯುಟೇಟೆಡ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ (IGCT) ಉತ್ಪನ್ನವಾಗಿದೆ.
IGCT ಎಂಬುದು 1990 ರ ದಶಕದ ಉತ್ತರಾರ್ಧದಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಂಡ ಒಂದು ಹೊಸ ರೀತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ.
ಇದು IGBT (ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಮತ್ತು GTO (ಗೇಟ್ ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್) ಗಳ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗ, ದೊಡ್ಡ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು GTO ಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಅದರ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗವು GTO ಗಿಂತ 10 ಪಟ್ಟು ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ ಇದು ಕಡಿಮೆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೀಗಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.
ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, GTO ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, IGCT ಬೃಹತ್ ಮತ್ತು ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಉಳಿಸಬಹುದು, ಇದು ಸಿಸ್ಟಮ್ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಸರಳಗೊಳಿಸಲು ಮತ್ತು ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಸಹಾಯ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಆದಾಗ್ಯೂ, IGCT ಹಲವು ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೂ, ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿ ಇನ್ನೂ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಗಮನಿಸಬೇಕು.
ಇದು ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಶಕ್ತಿಯ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ಸಂಕೀರ್ಣತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, IGCT ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ GTO ಅನ್ನು ಬದಲಿಸಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸುತ್ತಿದ್ದರೂ, ಅದು ಇನ್ನೂ ಇತರ ಹೊಸ ಸಾಧನಗಳಿಂದ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ IGBT) ತೀವ್ರ ಸ್ಪರ್ಧೆಯನ್ನು ಎದುರಿಸುತ್ತಿದೆ.
5SHY4045L00013BHB018162R0001 ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಕಮ್ಯುಟೇಟೆಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು|GCT (ಇಂಟರ್‌ಗ್ರೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಕಮ್ಯುಟೇಟೆಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು) 1996 ರಲ್ಲಿ ಹೊರಬಂದ ದೈತ್ಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಹೊಸ ವಿದ್ಯುತ್ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ.
IGCT ಎಂಬುದು GTO ರಚನೆಯನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ಹೊಸ ಹೈ-ಪವರ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸ್ವಿಚ್ ಸಾಧನವಾಗಿದ್ದು, ಗೇಟ್ ಹಾರ್ಡ್ ಡ್ರೈವ್‌ಗಾಗಿ ಸಂಯೋಜಿತ ಗೇಟ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಬಫರ್ ಮಧ್ಯಮ ಪದರ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ಪಾರದರ್ಶಕ ಹೊರಸೂಸುವ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ನ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 ಬಫರ್ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಆಳವಿಲ್ಲದ ಹೊರಸೂಸುವ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಡೈನಾಮಿಕ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಸುಮಾರು 50% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಈ ರೀತಿಯ ಉಪಕರಣಗಳು ಚಿಪ್‌ನಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಫ್ರೀವೀಲಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ಬ್ಲಾಕಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಸಾವಯವ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ವಿಶಿಷ್ಟ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಅರಿತುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.
